上海芯石微电子有限公司 main business:微电子领域内技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务；半导体元器件销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 310227001406340
- 91310117682242575C
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（法人独资）
- 2008-11-27
- 黄登平
- 1138.5万人民币
- 2008-11-27 至 永久
- 松江市监局
- 上海市松江区新浜镇香长公路1960号102室
- 微电子领域内技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务；半导体元器件销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106449433A | 一种降低开关二极管结电容的键合结构及其制造方法 | 2017.02.22 | 常规开关二极管工艺使用的硅片，都是在低阻硅层上生长高阻硅层的外延片，由于外延生长过程中掺杂物质扩散速 |
| 2 | CN106449640A | 一种用于全桥整流的新型肖特基器件及制造方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种适用于全桥整流的肖特基器件；该器件具有新型的结构，用一颗本发明的肖特基器件，可实现全 |
| 3 | CN106409786A | 一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构及制造方法 | 2017.02.15 | 常规双向ESD防护二极管的芯片电极一个从正面引出，一个从背面引出，DFN封装时，芯片背面和框架用银胶 |
| 4 | CN205959987U | 一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构 | 2017.02.15 | 本实用新型的主要目的为提供一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构，在N型单晶硅片的N面上间隔地排列制 |
| 5 | CN106409828A | 一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件及制造方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件；该器件具有新型的结构，用一颗本发明的肖特基器件， |
| 6 | CN205680687U | 一种优化结构和制程的低电容低压TVS器件 | 2016.11.09 | 本实用新型公开了一种优化结构和制程的低电容低压TVS器件；该TVS器件只含有一个钳位二极管，但通过结 |
| 7 | CN105932069A | 一种优化结构和制程的低电容低压TVS器件及其制造方法 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种优化结构和制程的低电容低压TVS器件；该TVS器件只含有一个钳位二极管，但通过结构优 |
| 8 | CN105845297A | 一种氮化钽金属薄层电阻结构及其制备方法 | 2016.08.10 | 在制备大阻值的金属薄层电阻时，为了提高集成度，金属薄层做的很薄，阻值不易控制（通常情况下+/‑10% |
| 9 | CN105762174A | 一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构及其制造方法 | 2016.07.13 | 本发明的主要目的为提供一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构，在N型单晶硅片的N面上间隔地排列制造出 |
| 10 | CN205231073U | 带缓冲的肖特基二极管 | 2016.05.11 | 本实用新型涉及一种带缓冲的肖特基二极管。目前规肖特基二极管中，欧姆接触电极位于衬底底部，电流沿垂直方 |
| 11 | CN205211744U | 成组肖特基二极管装置 | 2016.05.04 | 本实用新型涉及一种成组肖特基二极管装置。目前在肖特基二极管的使用过程中会遇到需要将两个肖特基二极管连 |
| 12 | CN205211764U | 带有组合接头的肖特基二极管装置 | 2016.05.04 | 一种带有组合接头的肖特基二极管装置。肖特基二极管手工焊接的方法使用起来速度慢、效率低、成本高。本实用 |
| 13 | CN204966511U | 含定向扩散结的肖特基器件 | 2016.01.13 | 含定向扩散结的肖特基器件。P型岛区将占用15%以上的肖特基势垒区面积，影响JBS肖特基器件的参数性能 |
| 14 | CN105226103A | 含定向扩散结的肖特基器件及制造方法 | 2016.01.06 | 含定向扩散结的肖特基器件及制造方法。P型岛区将占用15%以上的肖特基势垒区面积，影响JBS肖特基器件 |
| 15 | CN104124283A | 一种掺杂的肖特基势垒器件及其制备方法 | 2014.10.29 | 本发明公开了一种掺杂的肖特基势垒器件及其制备方法；该肖特基势垒器件具有掺磷肖特基势垒区(P-MSi) |
| 16 | CN204504061U | 电子器件引脚弯折器 | 2015.07.29 | 本实用新型涉及一种电子器件引脚弯折器。目前电子元件应用广泛，电子元件在安装中往往由于角度和位置的限制 |
| 17 | CN204375759U | 一种掺杂的肖特基势垒器件 | 2015.06.03 | 本实用新型公开了一种掺杂的肖特基势垒器件；该肖特基势垒器件的势垒层是采用了掺杂磷的金属硅化物(P-M |
| 18 | CN103985767A | 一种肖特基势垒器件及其制作方法 | 2014.08.13 | 本发明公开了一种肖特基势垒器件及其制造方法；该肖特基势垒器件具有掺氧肖特基势垒区(O-M-Si)，较 |
| 19 | CN103943686A | 一种封装免焊片的肖特基势垒二极管芯片制备方法 | 2014.07.23 | 本发明提供了一种封装免焊片的肖特基势垒二极管芯片制备方法，该二极管的结构为：以N型半导体材料为基片， |
| 20 | CN102456570A | 一种肖特基二极管的制造方法 | 2012.05.16 | 本发明公开了一种肖特基二极管的制造方法，通过高温扩散工艺，衬底层的杂质高温扩散进入外延层中，从而在衬 |
| 21 | CN102456748A | 一种肖特基二极管及其制造方法 | 2012.05.16 | 本发明公开了一种新型的肖特基二极管器件，器件包括：衬底层、逐级掺杂缓冲层、漂移层和肖特基势垒层。本发 |
| 22 | CN102376777A | 具有低正向压降的结势垒型肖特基 | 2012.03.14 | 本发明公开了一种新型的结势垒型肖特基器件，包括：衬底层、缓冲层、漂移层、轻掺杂层、抑制区、重掺杂层和 |
| 23 | CN101697357A | 一种肖特基势垒二极管及其制备方法 | 2010.04.21 | 本发明提供了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，该二极管的结构为：以N型半导体为基片，在上面形成N-外 |
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